Nowe dyski SSD Samsung 860 QVO

dodano: 2018-11-27 16:54 | aktualizacja: 2018-11-27 17:36
autor: Janusz Sulisz | źródło: Samsung

Samsung zaprezentował nowe dyski półprzewodnikowe SSD 860 QVO. Urządzenia oferują do czterech terabajtów przestrzeni na dane oraz dużą prędkość zapisu i odczytu połączoną z wysoką wytrzymałością. Dyski 860 QVO, stworzone zostały w oparciu o pamięci 4-bitowe, zbudowane w architekturze MLC (Multi Level Cell) i korzystające z technologii NAND Flash. Opracowane przez firmę Samsung rozwiązania sprawiają, że nowe dyski charakteryzują się dużą przestrzenią na dane dostępną w atrakcyjnej cenie.

Prosimy o wyłączenie blokowania reklam i odświeżenie strony.

Użytkownicy komputerów PC korzystający z dużych plików multimedialnych coraz częściej muszą inwestować w rozszerzenie pamięci wewnętrznej swoich urządzeń aby poprawić ich działanie. 2,5‑calowy dysk 860 QVO, stworzony w oparciu o powszechnie używany interfejs SATA, pasuje do większości laptopów i komputerów stacjonarnych. Duża pojemność, wydajność i atrakcyjna cena nowego nośnika, eliminuje konieczność korzystania z rozwiązań hybrydowych opartych o małe dyski SSD do uruchamiania systemu i pojemne dyski HDD do przechowywania plików.

860 QVO oferuje sekwencyjne prędkości odczytu i zapisu wynoszące odpowiednio do 550 MB/s (megabajtów na sekundę) i do 520 MB/s, a za sprawą najnowszej 4‑bitowej pamięci V‑NAND firmy Samsung i sprawdzonego kontrolera MJX zapewnia ten sam poziom wydajności, co powszechne dziś 3‑bitowe SSD MLC. Dysk wyposażono ponadto w inteligentną technologię TurboWrite pozwalającą zwiększyć prędkość działania przy jednoczesnym zachowaniu wydajności przez dłuższy czas.

Samsung zapewnia bardzo dużą wytrzymałość dysku, która została ustalona na podstawie dogłębnej analizy konsumenckich wzorców użytkowania SSD. Firma zapewnia 3‑letnią gwarancjęlub do 1440 zapisanych terabajtów (TBW) w przypadku wersji 4 TB i 720 TBW i 360 TBW odpowiednio dla wersji 2 TB i 1 TB.

Kategoria	Samsung 860 QVO
Interfejs	SATA 6 Gbps
Rozmiar	2,5 cala
Pamięć	4‑bitowa pamięć V‑NAND MLC firmy Samsung
Kontroler	Kontroler MJX firmy Samsung
DRAM	4 GB LPDDR4 w przypadku modelu 4 TB 2 GB LPDDR4 w przypadku modelu 2 TB 1 GB LPDDR4 w przypadku modelu 1 TB
Pojemność	4 TB, 2 TB, 1 TB
Sekwencyjna prędkość odczytu / zapisu	Do 550 / 520 MB/s
Losowa prędkość odczytu / zapisu	Do 97 K / 89 K IOPS
Oprogramowanie do zarządzania	Oprogramowanie Magician do zarządzania SSD
TBW	1440 TB (model 4 TB) 720 TB (model 2 TB) 360 TB (model 1 TB)
Gwarancja	Trzyletnia ograniczona gwarancja